IBM周一宣布,已生产出首个22纳米工艺SRAM(静态存储器)单元.  


    据国外媒体报道,SRAM芯片是半导体产业试验新工艺的设备,速度更快、体积更小且技术更复杂,主要负责在数据被处理之前暂时存储数据.  


    IBM认为SRAM芯片的生产是缩小整个微处理器体积的重要一步.SRAM芯片将使22纳米处理器性能大幅提高,并减少耗电.  


    I BM希望,到2011年能够制造出22纳米制程处理器.IBM研究机构副总裁陈博士表示:“随着处理器内核数量增多,人们对微处理器中存储器的需求也在日渐增加.为满足市场需求,我们会不断地向下一代半导体技术挺进.”  


    去年9月,Intel曾公开展示了32纳米SRAM芯片,预计今年秋季可能会交出首颗32nm处理器原型.由此可见,要想与22纳米工艺SRAM芯片见面,还需等待多时.  


    IBM则表示,其32纳米工艺进展顺利,制作过程中将使用业界领先的32nm High-K金属栅极技术,可超过任何企业和联盟.